Dram-Zellenstruktur mit Tunnelbarriere

EP1234332 Art B1 17. Januar 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1234332
Aktenzeichen: EP00988593
Anmeldetag: 14. November 2000
Veröffentlichung: 17. Januar 2007
Erteilung: 17. Januar 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/108H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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