Herstellung von einem Transistor durch Selbstausgerichtete Ldd Bildung mittels einer Einzigen Implantierung

EP1238415 Art A2 11. September 2002

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1238415
Aktenzeichen: EP00984430
Anmeldetag: 13. Dezember 2000
Veröffentlichung: 11. September 2002
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/266

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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