Silizium-Germanium-Bipolartransistor mit Optimiertem Germaniumprofil

EP1249035 Art B1 9. August 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1249035
Aktenzeichen: EP01905609
Anmeldetag: 8. Januar 2001
Veröffentlichung: 9. August 2006
Erteilung: 9. August 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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