Selbstjustierte Doppeldamaszen-Ätzung unter Verwendung eines Polymers

EP1254480 Art A1 6. November 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1254480
Aktenzeichen: EP01908899
Anmeldetag: 7. Februar 2001
Veröffentlichung: 6. November 2002
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von