Bauelement auf GaAs und Herstellungsverfahren
EP1255288
Art A2
6. November 2002
Anmelder: TriQuint Semiconductor GmbH, Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1255288
- Aktenzeichen
- EP02009028
- Anmeldetag
- 23. April 2002
- Veröffentlichung
- 6. November 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/304H01L23/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TriQuint Semiconductor GmbH
Infineon Technologies AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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