Mos-Transistor für Hochintergierte Schaltkreise
EP1258042
Art A1
20. November 2002
Anmelder: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1258042
- Aktenzeichen
- EP01909882
- Anmeldetag
- 23. Februar 2001
- Veröffentlichung
- 20. November 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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Levallois-Perret, Frankreich
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Novagraaf Technologies · Asnières-sur-Seine
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