Halbleiterstruktur mit vergrabenen Leiterbahnen sowie Verfahren zur elektrischen Kontaktierung der vergrabenen Leiterbahnen

EP1265288 Art A3 25. März 2009

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1265288
Aktenzeichen: EP02010959
Anmeldetag: 16. Mai 2002
Veröffentlichung: 25. März 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/105H01L21/8239H01L21/60H01L27/115H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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