Verfahren zur Detektion eines erhöhten Bereiches einer Halbleiterplatte

EP1276014 Art A1 15. Januar 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1276014
Aktenzeichen: EP01116952
Anmeldetag: 11. Juli 2001
Veröffentlichung: 15. Januar 2003
Rechtsraum: EP
IPC: G03F7/20G03F9/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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