Verfahren zur Bildung einer Isolierschicht und Verfahren zur Herstellung eines Grabenkondensators

EP1282159 Art B1 29. September 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1282159
Aktenzeichen: EP01117854
Anmeldetag: 23. Juli 2001
Veröffentlichung: 29. September 2004
Erteilung: 29. September 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/311H01L21/8242H01L21/334H01L29/94H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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