Verfahren zur Herstellung von Dotiertem Epitaktischem Silizium auf einem Siliziumsubstrat

EP1287555 Art A1 5. März 2003

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1287555
Aktenzeichen: EP01939124
Anmeldetag: 18. Mai 2001
Veröffentlichung: 5. März 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

9.753 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von