Feldeffekttransistor und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors

EP1287563 Art A1 5. März 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1287563
Aktenzeichen: EP01943066
Anmeldetag: 14. Mai 2001
Veröffentlichung: 5. März 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/786H01L29/51H01L21/3205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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