Struktur und Verfahren für Dram-Zelle mit Vertikalem Transistor und Grabenkondensator
Anmelder: Qimonda AG, International Business Machines Corporation, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1292951
- Aktenzeichen
- EP01952216
- Anmeldetag
- 25. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 19. März 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Qimonda AG
International Business Machines Corporation
Infineon Technologies North America Corp. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
Qimonda war ein deutscher Halbleiterhersteller mit Sitz in München, der 2006 aus dem Speicherchip-Geschäft von Infineon hervorging und 2009 insolvent wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung, insbesondere DRAM- und resistive Speichertechnologien. Die Anmeldungen stammen überwiegend aus der kurzen Unternehmensgeschichte zwischen 2000 und 2008.
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US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
12.078 Patente in unserer Datenbank
Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.
368 Patente in unserer Datenbank