Struktur und Verfahren für Dram-Zelle mit Vertikalem Transistor und Grabenkondensator

EP1292951 Art A2 19. März 2003

Anmelder: Qimonda AG, International Business Machines Corporation, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1292951
Aktenzeichen: EP01952216
Anmeldetag: 25. Juni 2001
Veröffentlichung: 19. März 2003
Rechtsraum: EP
IPC: G11C11/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Qimonda AG
International Business Machines Corporation
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

9.753 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von