Durch Vergrabene Bitleitungen und Feldplattenisolation Definierte Aktive Dram-Zellen-Gebiete

EP1292967 Art A2 19. März 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1292967
Aktenzeichen: EP01946612
Anmeldetag: 21. Juni 2001
Veröffentlichung: 19. März 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
International Business Machines Corporation
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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