Mustererzeugungsverfahren unter Verwendung einer Inorganischer Antireflexionsschicht
Anmelder: Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1292969
- Aktenzeichen
- EP01948507
- Anmeldetag
- 20. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 19. Mai 2004
- Erteilung
- 19. Mai 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/027H01L21/311H01L21/8242G03F7/09
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
International Business Machines Corporation
Infineon Technologies North America Corp. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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