In-Situ-Diffusionsbarriere und Kupfermetallisierung zur Verbesserung der Verlässlichkeit von Halbleitervorrichtungen

EP1292977 Art A2 19. März 2003

Anmelder: Polaris Innovations Limited, Infineon Technologies AG, Qimonda AG i.IN., Infineon Technologies North America Corp. 🇮🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1292977
Aktenzeichen: EP01946617
Anmeldetag: 21. Juni 2001
Veröffentlichung: 19. März 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Polaris Innovations Limited
Infineon Technologies AG
Qimonda AG i.IN.
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇮🇪 Irland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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