Feldeffekttransistor

EP1299914 Art B1 2. April 2008

Anmelder: Qimonda AG, Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1299914
Aktenzeichen: EP01953838
Anmeldetag: 3. Juli 2001
Veröffentlichung: 2. April 2008
Erteilung: 2. April 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/775H01L21/335H01L29/423// H01L51/00H01L51/05

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Qimonda AG
Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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