Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Piezo- oder Pyroelektrischen Schicht
EP1301949
Art B1
9. Januar 2008
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1301949
- Aktenzeichen
- EP01967197
- Anmeldetag
- 17. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 9. Januar 2008
- Erteilung
- 9. Januar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L37/02H01L41/24H03H3/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Ginzel, Christian
München, Deutschland
68
Patente gesamt
14
Fachgebiete
6
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Dilg, Haeusler, Schindelmann Patentanwaltsgesellschaft mbH
Dilg, Haeusler, Schindelmann Patentanwaltsgesellschaft mbH · München