Hochfrequenz-Transistorbauelement mit Antimonimplantation und Herstellungsverfahren dafür

EP1303872 Art B1 19. Dezember 2012

Anmelder: Infineon Technologies AG, Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ), TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1303872
Aktenzeichen
EP01944020
Anmeldetag
19. Juni 2001
Veröffentlichung
19. Dezember 2012
Erteilung
19. Dezember 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/331H01L29/732
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Infineon Technologies AG
Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ)
TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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🇸🇪 Ericsson

Schwedischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Stockholm. Ericsson entwickelt Netzwerkinfrastruktur, Mobilfunktechnologien (u.a. 5G) und Kommunikationslösungen für Netzbetreiber und Unternehmen weltweit.

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🇸🇪 Telefonaktiebolaget LM Ericsson

Telefonaktiebolaget LM Ericsson ist der schwedische Telekommunikationsausrüster mit Sitz in Stockholm, einer der weltweit führenden Anbieter von Mobilfunknetztechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich klar auf Nachrichtentechnik und Telekommunikation, ergänzt um Elektronik, Software und Halbleiterbauelemente. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2012.

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