Hochfrequenz-Transistorbauelement mit Antimonimplantation und Herstellungsverfahren dafür
EP1303872
Art B1
19. Dezember 2012
Anmelder: Infineon Technologies AG, Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ), TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1303872
- Aktenzeichen
- EP01944020
- Anmeldetag
- 19. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2012
- Erteilung
- 19. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/732
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ)
TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
🇸🇪
Ericsson
Schwedischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Stockholm. Ericsson entwickelt Netzwerkinfrastruktur, Mobilfunktechnologien (u.a. 5G) und Kommunikationslösungen für Netzbetreiber und Unternehmen weltweit.
27.748 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Fritzon, Rolf
Stockholm, Schweden
317
Patente gesamt
26
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Kransell & Wennborg KB
Kransell & Wennborg KB · Stockholm
-
Norin, Klas
NoneStockholm