Verfahren zur Bildung einer Siliziumdioxidschicht auf einer gekrümmten Silizium-Oberfläche

EP1306894 Art A1 2. Mai 2003

Anmelder: Qimonda AG, Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1306894
Aktenzeichen: EP01125000
Anmeldetag: 19. Oktober 2001
Veröffentlichung: 2. Mai 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/316H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Qimonda AG
Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von