Graben-Herstellungsverfahren und Oxid-Ätzverfahren
EP1312113
Art B1
12. Juli 2017
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1312113
- Aktenzeichen
- EP01971855
- Anmeldetag
- 2. August 2001
- Veröffentlichung
- 12. Juli 2017
- Erteilung
- 12. Juli 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/311H01L21/32H01L21/316H01L21/8242H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Barth, Stephan Manuel
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Isarpatent · München