Verfahren zum Herstellen eines Strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf Iii-V-Nitridhalbleiter-Basis und Strahlungsemittierender Halbleiterchip

EP1314209 Art B1 3. Oktober 2012

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Osram Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1314209
Aktenzeichen: EP01967062
Anmeldetag: 31. August 2001
Veröffentlichung: 3. Oktober 2012
Erteilung: 3. Oktober 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Osram Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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