Herstellungsverfahren für Dünne Einkristall-Oxidfilme

EP1314800 Art A1 28. Mai 2003

Anmelder: Japan Science and Technology Agency, JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1314800
Aktenzeichen: EP01961296
Anmeldetag: 31. August 2001
Veröffentlichung: 28. Mai 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L39/24C30B19/04C30B23/02C30B25/02C30B29/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Japan Science and Technology Agency
JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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