Herstellungsprozess eines Halbleiterbauelements mit einem Zwischenfilm aus Siliziumnitrid mit Niedriger Dielektrizitätskonstante
EP1316108
Art B9
3. Oktober 2007
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1316108
- Aktenzeichen
- EP01956920
- Anmeldetag
- 16. August 2001
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2007
- Erteilung
- 3. Oktober 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/318H01L21/768C23C16/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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Kanzlei
Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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