Nitrid Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren und Nitrid Halbleitervorrichung unter Verwendung eines Nitridsubstrat
EP1320870
Art B1
30. November 2016
Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1320870
- Aktenzeichen
- EP01941084
- Anmeldetag
- 19. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 30. November 2016
- Erteilung
- 30. November 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nichia Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nichia
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
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