Grabenkondensator-Dram-Zelle mit Vertikaltransistor und Verfahren zur Herstellung Derselben

EP1320885 Art A2 25. Juni 2003

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1320885
Aktenzeichen: EP01964532
Anmeldetag: 31. August 2001
Veröffentlichung: 25. Juni 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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