Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf Gan-Basis

EP1327267 Art B1 6. Dezember 2017

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Osram Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1327267
Aktenzeichen: EP01987950
Anmeldetag: 8. Oktober 2001
Veröffentlichung: 6. Dezember 2017
Erteilung: 6. Dezember 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Osram Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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