Verfahren zur Herstellung einer Struktur auf einem Wafer

EP1327605 Art A3 17. Mai 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1327605
Aktenzeichen: EP02027951
Anmeldetag: 13. Dezember 2002
Veröffentlichung: 17. Mai 2006
Rechtsraum: EP
IPC: B81B3/00H01L23/48H01L21/28H01L21/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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