Methode zur Erzeugung eines feinen Linienmusters auf einem Halbleiterwafer

EP1328013 Art A1 16. Juli 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1328013
Aktenzeichen: EP02000697
Anmeldetag: 11. Januar 2002
Veröffentlichung: 16. Juli 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/033H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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