Herstellungsverfahren einer Sti-Dram-Halbleiterspeicheranordnung mit Reglung der Schichtdicke der Gateoxidschicht durch Stickstoffimplantation mit Verwendung eines Schatteneffekts

EP1334518 Art A2 13. August 2003

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1334518
Aktenzeichen: EP01990881
Anmeldetag: 8. November 2001
Veröffentlichung: 13. August 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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