Speicherzelle mit Vertikal-Floating-Gate-Transistor

EP1344250 Art A2 17. September 2003

Anmelder: Polaris Innovations Limited, Infineon Technologies AG, Qimonda AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇮🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1344250
Aktenzeichen: EP01987070
Anmeldetag: 14. November 2001
Veröffentlichung: 17. September 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8247H01L27/115H01L21/336H01L29/788

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Polaris Innovations Limited
Infineon Technologies AG
Qimonda AG
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇮🇪 Irland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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