Verfahren zur Kontaktierung eines Dotiergebiets eines Halbleiterbauelements

EP1348232 Art B1 23. Mai 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1348232
Aktenzeichen: EP01995583
Anmeldetag: 6. Dezember 2001
Veröffentlichung: 23. Mai 2007
Erteilung: 23. Mai 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L21/285H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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