Heteroübergang-Bipolartransistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verstärkersmodul
EP1353384
Art A3
12. Januar 2005
Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1353384
- Aktenzeichen
- EP03008125
- Anmeldetag
- 7. April 2003
- Veröffentlichung
- 12. Januar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/737H01L21/331H03F3/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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