Halbleiteranordnung und Verfahren zur Ätzung einer Schicht der Halbleiteranordnung mittels einer Siliziumhaltigen Ätzmaske

EP1360711 Art B1 14. März 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1360711
Aktenzeichen: EP02700152
Anmeldetag: 17. Januar 2002
Veröffentlichung: 14. März 2007
Erteilung: 14. März 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/033

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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