Verfahren zur Herstellung eines langwelligen Indium-Gallium-Arsenid-Nitrid (InGaAsN) aktiven Bereichs
EP1361601
Art A3
27. Juli 2005
Anmelder: Avago Technologies ECBU IP (Singapore) Pte. Ltd., Agilent Technologies, Inc. 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1361601
- Aktenzeichen
- EP03001970
- Anmeldetag
- 30. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205C30B29/38C30B29/40C30B25/02H01S5/323H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Avago Technologies ECBU IP (Singapore) Pte. Ltd.
Agilent Technologies, Inc. - Land
- 🇸🇬 Singapur
🇺🇸
Agilent Technologies
US-amerikanischer Hersteller von Analysegeräten, Labortechnik und Diagnostiklösungen, 1999 als Ausgründung von Hewlett Packard entstanden. Schwerpunkte sind Chromatographie, Massenspektrometrie und Life-Science-Instrumente.
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Vertreten von
Schoppe, Fritz
Pullach, Deutschland
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Dilg, Haeusler, Schindelmann Patentanwaltsgesellschaft mbH
Dilg, Haeusler, Schindelmann Patentanwaltsgesellschaft mbH · München
-
Liesegang, Roland
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