Hohlraumstruktur in einer Intergrierten Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer Hohlraumstruktur in einer Integrierten Schaltung

EP1364404 Art B1 12. Oktober 2011

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1364404
Aktenzeichen: EP02719629
Anmeldetag: 15. Februar 2002
Veröffentlichung: 12. Oktober 2011
Erteilung: 12. Oktober 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/522H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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