Verfahren zur Herstellung eines Mosfets mit Sehr Kleiner Kanallänge

EP1374293 Art B1 18. Januar 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1374293
Aktenzeichen: EP02719646
Anmeldetag: 28. Februar 2002
Veröffentlichung: 18. Januar 2006
Erteilung: 18. Januar 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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