Verfahren zur Herstellung einer Benetzungsbarriere und Anode mit der Benetzungsbarriere
EP1384238
Art A1
28. Januar 2004
Anmelder: Kemet Electronics Corporation, EPCOS AG 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1384238
- Aktenzeichen
- EP02740246
- Anmeldetag
- 11. April 2002
- Veröffentlichung
- 28. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01G9/012
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kemet Electronics Corporation
EPCOS AG - Land
- 🇺🇸 USA
🇩🇪
EPCOS
Deutscher Hersteller elektronischer Bauelemente wie Kondensatoren und Sensoren mit Sitz in München, seit 2009 Teil des japanischen TDK-Konzerns.
430 Patente in unserer Datenbank