Verfahren zur Herstellung eines Integrierten Schaltkreises
EP1384258
Art A1
28. Januar 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1384258
- Aktenzeichen
- EP02728284
- Anmeldetag
- 29. April 2002
- Veröffentlichung
- 28. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8249H01L29/73H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Fritzon, Rolf
Stockholm, Schweden
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-
Kransell & Wennborg KB
Kransell & Wennborg KB · Stockholm