Nitrid-Halbleiterbauelement mit einem gebondeten Substrat und entsprechendes Herstellungsverfahren

EP1385215 Art B1 17. September 2014

Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1385215
Aktenzeichen
EP03015373
Anmeldetag
8. Juli 2003
Veröffentlichung
17. September 2014
Erteilung
17. September 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762H01L33/00H01L33/32H01L33/42H01L33/48H01L33/50H01L33/62H01L33/44
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nichia Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nichia

Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.

967 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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