Verfahren zur Herstellung von Dram-Zellen mit Vertikalem Transistor und Grabenkondensator

EP1390977 Art A2 25. Februar 2004

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1390977
Aktenzeichen: EP01996046
Anmeldetag: 29. November 2001
Veröffentlichung: 25. Februar 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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