Transistor mit Hoher Elektronenmobilität (hemt) auf der Basis von Gruppe-Iii-Nitrid mit Barrieren-/abstandsschicht

EP1390983 Art B2 12. April 2017

Anmelder: CREE, INC., The Regents of the University of California, The Regents of The University of California, Cree, Inc., The Regent of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1390983
Aktenzeichen
EP02769655
Anmeldetag
11. April 2002
Veröffentlichung
12. April 2017
Erteilung
12. April 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/778H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
CREE, INC.
The Regents of the University of California
The Regents of The University of California
Cree, Inc.
The Regent of the University of California
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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🇺🇸 University of California

US-amerikanisches öffentliches Universitätssystem mit zahlreichen Standorten (u.a. Berkeley, Los Angeles, San Diego). Die Regents of the University of California halten die Patente aus Forschung in Biotechnologie, Medizin, Materialwissenschaften und Ingenieurwesen.

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