Verfahren zur Herstellung einer Grabenkondensator-Dram-Zelle ohne Floating-Well Effekte

EP1396009 Art A2 10. März 2004

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1396009
Aktenzeichen: EP01989974
Anmeldetag: 5. November 2001
Veröffentlichung: 10. März 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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