Ein Verfahren zur Herstellung von Eingebetteten Vertikal-Dram-Zellen und Logikgates mit Zweifacher Arbeitsfunktion

EP1396010 Art B1 25. Juli 2007

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1396010
Aktenzeichen: EP01995964
Anmeldetag: 28. November 2001
Veröffentlichung: 25. Juli 2007
Erteilung: 25. Juli 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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