Gegentakt-Leistungstransistor-Bauelement auf einem Einzigen Chip

EP1399969 Art B1 13. Dezember 2017

Anmelder: Cree, Inc., Infineon Technologies AG 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1399969
Aktenzeichen
EP02728666
Anmeldetag
2. April 2002
Veröffentlichung
13. Dezember 2017
Erteilung
13. Dezember 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/07H01L27/088H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Cree, Inc.
Infineon Technologies AG
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

1.232 Patente in unserer Datenbank

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Kanzlei
JENSEN & SON

JENSEN & SON wurde bereits 1867 gegründet und gehört zu den traditionsreichsten Patent- und Markenkanzleien Großbritanniens. Unter der Marke Jensens IP Law mit Büros in London, München und Dublin ist sie eine der wenigen „full service“ IP-Kanzleien im Vereinigten Königreich.

1.163
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