Mosfets mit Halbleiterspannungsschichten
EP1399974
Art A1
24. März 2004
Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1399974
- Aktenzeichen
- EP02734816
- Anmeldetag
- 21. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 24. März 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/80H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Massachusetts Institute of Technology
US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.
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Fachgebiete
Kanzlei
Murgitroyd & Company
Murgitroyd wurde 1975 in Glasgow als Einzelpraxis gegründet, ging 2001 an die Londoner Börse und zählt zu Europas am schnellsten wachsenden IP-Kanzleien, mit Standorten von Großbritannien und Irland bis München, Mailand, Helsinki und dem Silicon Valley.
28.186
Patente gesamt
8
Patentanwälte
4
Standorte
Weitere Vertreter
-
Atkinson, Jonathan David Mark
NoneLeeds