Steg-Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung eines Steg-Feldeffekttransistors

EP1412986 Art A2 28. April 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1412986
Aktenzeichen: EP02794490
Anmeldetag: 26. Juli 2002
Veröffentlichung: 28. April 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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