Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen dünner epitaktischer Halbleiterschichten

EP1415332 Art B1 25. Januar 2012

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1415332
Aktenzeichen: EP02779254
Anmeldetag: 25. Juli 2002
Veröffentlichung: 25. Januar 2012
Erteilung: 25. Januar 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L21/205C23C16/32C23C16/54

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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