Zweischicht-Hartmask zum Ätzverfahren eines Edram-Gates
EP1415338
Art B1
18. Oktober 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1415338
- Aktenzeichen
- EP02764835
- Anmeldetag
- 6. August 2002
- Veröffentlichung
- 18. Oktober 2006
- Erteilung
- 18. Oktober 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
International Business Machines Corporation - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.937 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
12.044 Patente in unserer Datenbank