Verfahren zum Parallelen Herstellen eines Mos-Transistors und eines Bipolartransistors
EP1415339
Art B1
15. November 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1415339
- Aktenzeichen
- EP02794498
- Anmeldetag
- 2. Juli 2002
- Veröffentlichung
- 15. November 2006
- Erteilung
- 15. November 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8249H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Kanzlei
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler
München, Deutschland
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler, Zinkler, Schenk & Partner mbB berät von München aus Unternehmen und Forschungseinrichtungen aus aller Welt, mit technischem Schwerpunkt auf Audio- und Videokodierung, Mobilfunk, künstlicher Intelligenz und Halbleitertechnik.
11.446
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9
Patentanwälte
1
Standorte
Weitere Vertreter
-
Stöckeler, Ferdinand, Dipl.-Ing
NonePullach