Gehäuse für ein Hochspannungs-Halbleiterbauelement mit Vergrössertem Abstand zwischen Gehäusewand und Chip für Verbessertes Entfernen des Flussmittels

EP1417709 Art B1 4. März 2015

Anmelder: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1417709
Aktenzeichen
EP02739907
Anmeldetag
14. Juni 2002
Veröffentlichung
4. März 2015
Erteilung
4. März 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/04H01L23/492H01L23/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION
Land
🇺🇸 USA

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